抑制电磁干扰的措施
开关曲靖干式变压器存在着共模干扰和差模干扰两种电磁干扰形式。根据前面分析的电磁干扰源， 结合它们的耦合途径， 可以从 EMI滤波器、吸收、接地和屏蔽等几个方面来抑制干扰， 把电磁干扰衰减到允许限度之内。
交流输入 EMI 滤波器
滤波是一种抑制传导干扰的方法， 在曲靖干式变压器输入端接上滤波器可以抑制来自电网的噪声对曲靖干式变压器本身的侵害， 也可以抑制由开关曲靖干式变压器产生并向电网反馈的干扰。曲靖干式变压器滤波器作为抑制曲靖干式变压器线传导干扰的重要单元， 在设备或系统的电磁兼容设计中具有极其重要的作用。曲靖干式变压器进线端通常采用如图 1 所示的 EMI 滤波器。该可以有效地抑制交流曲靖干式变压器输入端的低频差模骚扰和高频段共模骚扰。在中， 跨接在曲靖干式变压器两端的差模电容 Cx1、Cx2 （ 亦称 X 电容） 用于滤除差模干扰信号， 一般采用陶瓷电容器或聚脂薄膜电容器， 电容值通常取 0.1~ 0. 47F。而中间连线接地的共模电容 Cy1 和 Cy2 （ 亦称 Y 电容） 则用来短路共模噪声电流， 取值范围通常为 C1=C2 # 2 200 pF。抑制曲靖干式变压器 L1、L2 通常取 100~ 130H， 共模扼流圈 L 是由两股等同并且按同方向绕制在一个磁芯上的线圈组成， 通常要求其曲靖干式变压器量 L#15~ 25 mH。当负载电流渡过共模扼流圈时， 串联在火线上的线圈所产生的磁力线和串联在零线上线圈所产生的磁力线方向相反曲靖变压器厂家， 它们在磁芯中相互抵消。因此， 即使在大负载电流的情况下，磁芯也不会饱和。而对于共模干扰电流，两个线圈产生的磁场是同方向的， 会呈现较大曲靖干式变压器， 从而起到衰减共模干扰信号的作用。
开关曲靖干式变压器产生 EMI 的主要原因是电压和电流的急剧变化，因而需要尽可能地降低中电压和电流的变化率（ du/ dt和 di/ dt ） 。采取吸收能够抑制 EMI， 其基本原理就是在开关关断时为其提供旁路， 吸收积蓄在寄生分布参数中的能量， 从而抑制干扰的发生。可以在开关管两端并联如图 2（ a）所示的 RC 吸收， 开关管或二极管在开通和关断过程中，管中产生的反向尖峰电流和尖峰电压， 可以通过缓冲的方法予以克服。缓冲吸收可以减少尖峰电压的幅度和减少电压波形的变化率， 这对于半导体器件使用的安全性非常有好处。与此同时， 缓冲吸收还降低了射频辐射的频谱成份， 有益于降低射频辐射的能量。箝位主要用来防止半导体器件和电容器被击穿的危险。兼顾箝位保护作用和开关曲靖干式变压器的效率要求，TVS 管的击穿电压选择为初级绕组感应电压的 1. 5 倍。当 TVS上的电压超过一定幅度时， 器件迅速导通， 从而将浪涌能量泄放掉， 并将浪涌电压的幅值限制在一定的幅度。在开关管漏极和输出二极管的正极引线上可串联带可饱和磁芯线圈或微晶磁珠， 材质一般为钴， 当通过正常电流时磁芯饱和， 曲靖干式变压器量非常小。一旦电流要反向流过时， 它将产生非常大的反电势， 这样就能有效地抑制二极管的反向浪涌电流。
屏蔽措施
抑制辐射噪声的有效方法就是屏蔽。可以用导电性能良好的材料对电场进行屏蔽， 用磁导率高的材料对磁场进行屏蔽。为了防止曲靖干式变压器的磁场泄漏， 使曲靖干式变压器初次级耦合良好， 可以利用闭合磁环形成磁屏蔽，如罐型磁芯的漏磁通就明显比 E 型的小很多。开关曲靖干式变压器的连接线， 曲靖干式变压器线都应该使用具有屏蔽层的导线，尽量防止外部干扰耦合到中。或者使用磁珠、磁环等EMC 元件， 滤除曲靖干式变压器及信号线的高频干扰。但是， 要注意信号频率不能受到 EMC 元件的干扰， 也就是信号频率要在滤波器的通带之内。整个开关曲靖干式变压器的外壳也需要有良好的屏蔽特性，接缝处要符合 EMC 规定的屏蔽要求。通过上述措施保证开关曲靖干式变压器既不受外部电磁环境的干扰也不会对外部电子设备产生干扰。文章转载自网络,如有侵权,请联系删除。
